中芯国际采用ARM物理IP流片90纳米低功耗设计

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摘要中芯国际和ARM日前宣布。中芯国际采用ARM（r）Artisan（r）物理IP系列产品中的ARM Metro（tm）低功耗／高密度产品和Advantage（tm）高性能产品．用于90nmLL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。ARM称。2006年第四季度。客户可通过ARM网站免费获取用于中芯国际90nm工艺的ARM物理IP。

出处《电子设计技术 EDN CHINA》 2006年第7期55-55,共1页 EDN CHINA

关键词低功耗设计 ARM 90纳米 IP 90nm工艺高性能产品处理工艺

分类号 TP368.1 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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