集成电路铝金属化系统失效机理研究
出处
《电子产品可靠性与环境试验》
1989年第2期18-24,37,共8页
Electronic Product Reliability and Environmental Testing
-
1何涛,吴廉亿,雷祖圣.集成电路铝金属化系统电迁移失效机理研究[J].宇航材料工艺,1989(2):39-44. 被引量:1
-
2赵丽华,黄焕琴,刘淑萍.核辐射加固功率晶体管的金属化系统研究[J].微电子学与计算机,1989,6(12):27-31.
-
3张万荣,李志国,郭伟玲,孙英华,穆甫臣,程尧海,陈建新,沈光地.提高半导体器件欧姆接触可靠性的扩散阻挡层及其应用[J].电子工艺技术,1998,19(1):4-6. 被引量:2
-
4冯玉春,罗晋生.MCT关断特性的分析[J].电力电子技术,1997,31(1):80-82.
-
5蒲耀川.半导体器件中金属化系统的失效模式[J].甘肃科技纵横,2006,35(6):48-48.
-
6李志国.VLSI中的Al金属化系统[J].半导体情报,1995,32(6):30-34.
-
7裴风丽,冯震,陈炳若.AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展[J].半导体技术,2007,32(1):6-11. 被引量:3
-
8郭伟玲,李志国,孙英华,程尧海.新型Al金属化系统微波器件EB结的可靠性研究[J].半导体技术,1997,13(3):28-32.
-
9谢怀亮.浅析集成电路金属化系统的工艺技术[J].甘肃科技,2001,17(4):15-15. 被引量:1
-
10张万荣,李志国,穆甫臣,郭伟玲,孙英华,陈建新,沈光地.砷化镓欧姆接触中的能带工程[J].微电子学,1998,28(1):28-31.
;