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Ta^(5+)掺杂的SrTiO_3系复合功能陶瓷的半导化和晶界层的研究 被引量:2

Study on Semiconducting Mechanism and Grain Boundary Layer of Ta 5+ Doped SrTiO 3 Multifuncition Ceramics
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摘要 采用一次烧成法制备了Ta5+掺杂的SrTiO3系复合功能陶瓷,测试了样品的介电性能,分析了晶粒的半导化机理,并讨论了晶界层对样品复合功能效应的影响。 Single sintering process is used to prepare Ta 5+ doped SrTiO 3 multifunction ceramics in this paper. Dielectric properties of samples are investigated and semiconducting mechanism of grains is analysed. At the same time, the influences of grain boundary layer on multifunction effect are also discussed.
出处 《武汉工业大学学报》 CSCD 1996年第4期17-20,共4页
关键词 功能陶瓷 半导化 晶界层 一次烧成法 复合陶瓷 SrTiO 3 multifunction ceramics semiconducting mechanism grain boundary layer single sintering process.
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二级参考文献2

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