SiC元器件领先投入实际应用

在面向后硅时代的研发中，SiC元器件比GaN元器件领先一步投入实际应用（见图A-2）。英飞凌科技公司已经上市了肖特基势垒二极管，并且在2006年3月又推出功率损耗更少的第二代产品。关于MOS晶体管，日本ROHM公司预定在2006年内开始提供样品。三菱电机公司使用自行开发的MOS晶体管和肖特基势垒二极管构成变频器电路，用于驱动额定功率3．7kW的电动机。并且已经证实，同使用硅元器件时相比，功率损耗大约减少54％。