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中国环流器新一号(HL—1M)装置内壁的硼化
被引量:
1
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摘要
用无毒,不燃固体材料碳硼烷与氦直流辉光放电在HL-1M内壁上原位涂复了含碳硼膜,平均厚度50-70nm,碳硼比约为1:6。硼化后器壁条件有了本质的改善。尽管省去了每天长达15小时的放电清洗,但本底真空仍然从(1-2)×10^-4Pa提高到(5-6)×10^-5Pa。
作者
张年满
王恩耀
机构地区
核工业西南物理研究所
出处
《四川真空》
1996年第2期1-6,共6页
关键词
硼化壁
环流器
托卡马克装置
分类号
TL631.24 [核科学技术—核技术及应用]
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被引量:1
四川真空
1996年 第2期
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