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使用低电压高利用率新型α阴极制备ITO膜 被引量:3

The Deposition of ITO Film by Using the Low SP Voltage High Target Utilization α Cathode
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摘要 本文介绍由日本真空技术株式会社开发的新型ITO膜溅射阴极——α阴极,同以往相比它具有诸如高靶材利用率、低溅射电压、高功率——高速率以及无需靶的清洗等优点。 In this paper it is introduced the newly developed ITO sputtering cathode α cathode by ULVAC.The α cathode with it's merits, for example high target utilization,low sp. voltage, high power high rate and no target cleaning etc.is now actively used in SDP series sputtering system for ITO deposition.
作者 中村久三
出处 《真空》 CAS 北大核心 1996年第4期33-39,共7页 Vacuum
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同被引文献5

  • 1胡炳森,王剑峰,马春华,顾子平.液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状[J].真空科学与技术,1995,15(2):135-139. 被引量:9
  • 2李云奇.真空镀膜技术与设备[M].沈阳:东北工学院出版社,1992.99-109.
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  • 5李云奇.真空镀膜技术与设备[M].沈阳:东北工学院出版社,1992.99~109.

引证文献3

二级引证文献12

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