YSZ／Si上溅射BSCCO超导膜中的缺陷分析

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摘要该文报导了在有ＹＳＺ缓冲层覆盖的Ｓｉ衬底上偏靶磁控溅射ＢＳＣＣＯ超导薄膜的工艺条件，给出了利用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、高分辨率透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）对ＢＳＣＣＯ膜中几种缺陷的观察结果，并讨论了为预防和减少缺陷而调整的超导膜的生长条件，提出了ＹＳＺ／Ｓｉ上ＢＳＣＣＯ的分形生长现象．

作者钱文生刘融魏同立

机构地区东南大学微电子中心

出处《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期1-5,共5页 Cryogenics and Superconductivity

关键词 YSZ BSCCO 超导薄膜溅射硅

分类号 O484.1 [理学—固体物理]

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低温与超导

1996年第2期

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