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基于0.6 μm CMOS工艺的单片集成有源电感设计 被引量：2

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摘要 采用0.6μmCMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计,其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成,电感值可受直流偏置控制,占用面积小。仿真结果表明,该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-1GHz,600MHz频率处电感的Q值达到26,等效电感值为400nH。
作者 吉小冬 孙玲 包志华
机构地区 东南大学集成电路学院 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室
出处 《中国集成电路》 2006年第8期49-52,共4页 China lntegrated Circuit
基金 江苏省高技术项目(BG2005022) 南通大学自然科学基金资助项目(05Z114)
关键词 有源电感 单片集成 CMOS工艺 场效应晶体管 频率范围 电路原理图 直流偏置 仿真结果
分类号 TM55 [电气工程—电器]
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参考文献6

二级参考文献28

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引证文献2

二级引证文献8

中国集成电路
2006年 第8期

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