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ZnCdTe/ZnTe超晶格的近带边发射特性 被引量:1

CHARACTERIZATION OF NEAR BAND EDGE PHOTOLUMINESCENCE FOR ZnCdTe/ZnTe SUPERLATTICES
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摘要 本文通过不同激发光强度下的光致发光实验,把Zn0.67Cd0.33Te/ZnTe超晶格(SLs)样品的两个发光谱峰分别归结为与激子有关的和导带电子到受主的辐射复合过程.为进一步了解样品的发光特性,做了不同温度下的光致发光实验,得到了两个谱峰在高温区的激活能,即:高能峰为127meV,低能峰为132meV. he two peaks of PL spectrum of Zn0.67Cd0.33Te/ZnTe superlattices are observed at 77 K and contributed to exciton related and free-to-bound radiative recombination transition, respectively. In order to get further information about the characterization of this sample, experiments of PL under different temperature have been developed. The activation energy of the two peaks in high temperature region has been obtained to be 127 meV and 132 meV, respectively.
出处 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期210-214,共5页 Chinese Journal of Luminescence
基金 国家攀登计划项目 国家自然科学基金
关键词 超晶格 近带边 光致发光 激活能 Ⅱ-Ⅵ族 半导体 superlattices, near band edge photoluminescence, activation energy
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Yang F,Superlattices and Microstructure,1991年,9卷,461页
  • 2范广涵,人工晶体,1990年,19卷,10页
  • 3Feng Z C,J Lumin,1986年,35卷,329页

同被引文献1

  • 1Ding J,Appl Phys Lett,1990年,57卷,2756页

引证文献1

二级引证文献1

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