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大面积钨、钼及其氧化物纳米线与阵列以及其制备与应用
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摘要
本发明公开了一种大面积钨、钼及其氧化物的纳米线及其阵列。本发明还公开了钨、钼单质及其氧化物的纳米线及其阵列的制备方法及应用。本发明的制备方法简单、直接,对设备要求不高,成本低廉。同时本发明制备的大面积钨、钼及其氧化物的纳米线具有优异的场致电子发射性能,作为冷阴极电子源会有很大的应用前景,尤其是在场致电子发射平板显示器、冷阴极发光管、冷光源等。
机构地区
中山大学
出处
《中国钼业》
2006年第3期46-46,共1页
China Molybdenum Industry
关键词
制备方法
纳米线
氧化物
面积
应用
阵列
钨
钼
电子发射性能
场致电子发射
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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中国钼业
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