摘要
首次报道了在水平磁场中采用ＬＥＣ工艺（ＭＬＥＣ）生长锑化镓单晶，磁场强度为０．０５～０．３２Ｔ（坩埚中心处），且连续可调，所用覆盖剂为等摩尔比的ＮａＣｌ＋ＫＣｌ混合物，覆盖厚度２～５ｍｍ，拉速０．３～１．５ｃｍ／ｈ。生长方向〈１００〉；对ＭＬＥＣ和ＬＥＣ样品进行质谱分析，研究磁场强度与晶体性能的关系，在非掺杂ＭＬＥＣ样品的ＰＬ谱中观察到明显的自由激子峰。这些结果表明，ＭＬＥＣ样品中电学参数的纵向分布比ＬＥＣ晶体更均匀；ＭＬＥＣ样品中（重掺碲）７７Ｋ电子迁移率高于ＬＥＣ晶体；
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第6期401-404,共4页
Chinese Journal of Rare Metals
基金
国家863高技术项目
