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中芯国际采用ARM物理IP,支持90nm工艺设计

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摘要 日前,中芯国际集电路和ARM公司共同宣布,中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARMMetro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米低渗漏和主流处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。
出处 《电力电子》 2006年第3期69-69,共1页 Power Electronics

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