期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
中芯国际采用ARM物理IP,支持90nm工艺设计
下载PDF
职称材料
导出
摘要
日前,中芯国际集电路和ARM公司共同宣布,中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARMMetro低功耗/高密度产品和Advantage高性能产品,用于90纳米低渗漏和主流处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。
出处
《电力电子》
2006年第3期69-69,共1页
Power Electronics
关键词
ARM公司
工艺设计
国际
IP
物理
高性能产品
系列产品
处理工艺
90纳米
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
IBM和特许半导体向65nm通用平台提供ARM Artisan低功耗IP[J]
.电子工业专用设备,2005,34(6):72-72.
2
IBM和特许半导体向65纳米通用平台提供ARM Artisan低功耗IP[J]
.电子与电脑,2005,5(7):138-138.
3
电信电源模块市场面临诸多挑战[J]
.电源技术应用,2007,10(4):104-104.
4
Magma与ARM及Artisan合作开发低功耗的设计流程[J]
.中国集成电路,2004(6):8-8.
5
ARTISAN(“工匠”)三坐标雷达系统[J]
.电子工程信息,2013(6).
6
ARM并购Artisan,共同提供SoC IP技术方案[J]
.电子产品世界,2004,11(09B):20-20.
7
宏力半导体采用ARM物理IP扩展其0.18μm和0.13μm流水线[J]
.单片机与嵌入式系统应用,2006,6(2):87-87.
8
中芯国际采用Artisan 0.15微米IP设计平台[J]
.集成电路应用,2004,21(5):30-31.
9
顺应市场需求ARM、TSMC牵手65nm与45nm技术物理IP[J]
.半导体技术,2006,31(5):400-400.
10
Artisan的数据库支持Cadence Encounter信号集成解决方案[J]
.集成电路应用,2004,21(5):60-60.
电力电子
2006年 第3期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部