摘要
飞思卡尔半导体推出一款封装在超模压塑料封装内，性能堪与气腔封装媲美的2GHz大功率RF晶体管。基于飞思卡尔的高压第七代（HV7）RF外侧扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术。飞思卡尔的旗舰型HV7设备是在TO-270WBL-4封装内提供的MRF7S19120N。该设备能够提供最低120W P1dB和36W的平均功率，一般性能有望达到18dB的增益，在PAR=6．1dB时能够达到32％的效率和．37．5dBc的线性。MRF7S19120N可在1．9GHz的频率上提供相当性能的第一款晶体管，最低输出功率为120W CW。
