摘要
瑞萨科技公司开发出一种有助于采用65nm制造工艺生产的SRAM（静态随机存取存储器）实现稳定运行的技术。新技术采用了一种直接图形成型布局和读辅助及写辅助电路，以克服采用精细特征工艺技术时由于晶体管固有特性可变性带来的SRAM不稳定问题。采用65nm工艺的存储单元测试芯片包含一个8MB6晶体管型SRAM，利用该芯片对稳定运行能力进行了验证。测试数据显示，利用这种设计方法可以在大批量生产时实现宽泛的整体Vth的可变性——与不采用该方法的情况相比产量可提高两倍以上。其应用包括用于微处理器和系统级芯片（SoC）器件的嵌入式SRAM。
