基于电子自旋弛豫的全光开关的理论计算

国外已有实验测量发现,InGaAsP 多量子阱材料的电子自旋弛豫时间是与材料的阱宽大小直接联系的,而且比之前研究的 GaAs 多量子阱材料的自旋弛豫时间更短。文中对激子的特性进行了介绍,对影响电子自旋弛豫时间的三个机制经行了分析和计算,并且采用有限深势阱摸型对 InGaAsP 多量子阱的组分和阱宽之间的关系进行了计算,最后根据要制作的全光功能开关的性能指标对计算结果进行了选择,得到最适合于制作光开关的材料为:势阱 In0.5 3Ga0.47As(阱宽6nm);势垒 InP。