期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

硅基GaN蓝光LED外延材料转移前后性能 被引量：1

原文传递
导出
摘要 利用外延片焊接技术,把Si(111)衬底上生长的GaN蓝光LED外延材料压焊到新的Si衬底上.在去除原Si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光LED.与外延材料未转移的同侧结构相比,转移后的垂直结构GaN蓝光LED的电学性能、发光性能和结构性能明显改善,光输出功率显著提高.垂直结构LED的GaN层受到的张应力比同侧结构LED小.
作者 熊传兵 江风益 方文卿 王立 刘和初 莫春兰
机构地区 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心
出处 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2006年第7期733-740,共8页 Science in China(Series E)
基金 国家863计划 信息产业部电子发展基金 南昌大学校基金资助项目
关键词 GAN LED SI 外延片压焊 垂直结构
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献14

  • 1Guha S, Bojarczuk N A. Ultraviolet and violet GaN light emitting diodes on silicon. Appl Phys Lett, 1998,72(4): 415
  • 2Tran C A, Osinski A, Karlicek R F, et al. Growth of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes on silicon by metalorganic vapor phase epitaxy. Appl Phys Lett, 1999, 75 (11):1494
  • 3Yang J W, Lunev A, Simin G, et al. Selective area deposited blue GaN-InGaN multiple-quantum well light emitting diodes over silicon substrates. Appl Phys Lett, 2000, 76(3):273
  • 4Feltin E, Dalmasso S, Mierry P, et al. Green InGaN light-emitting diodes grown on Silicon (111) by metalorganic vapor phase epitaxy. Jpn J Appl Phys, 2001, 40:L738
  • 5Zhang B, Egawa T, Ishikawa H, et al. InGaN multiple-quantum-well light emitting diodes on Si(111) substrates. Phys Stat Sol (a), 2001, 188:151
  • 6Egawa T, Zhang B, Nishikawa N, et al. InGaN multiple-quantum-well green light-emitting diodes on Si grown by metalorganic chemical vapor deposition. J Appl Phys, 2002, 91:528
  • 7Dadgar A, Poschenrieder M, Contreras O, et al. Bright,crack-free InGaN/GaN light emitters on Si(111). Phys Stat Sol (a),2002, 192(2):308
  • 8Dadgar A, Poschenrieder M, Blsing J, et al. MOVPE growth of GaN on Si(111) substrates. J Cryst Growth, 2003,248:556
  • 9Zhang B, Egawa T, Ishikawa H, et al. High-bright InGaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes on Si(111) using AlN/GaN multilayers with a thin AlN/AlGaN buffer layer. Jpn J Appl Phys, 2003, 42:L226
  • 10Krost A, Dadgar A. GaN-based optoelectronics on silicon substrates. Materials Science and Engineering B, 2002, 93:77

共引文献8

同被引文献16

  • 1程海英,方文卿,莫春兰,刘和初,王立,江风益.δ掺杂对Si衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究[J].光学学报,2006,26(8):1269-1273. 被引量：4
  • 2张剑铭,邹德恕,刘思南,徐晨,沈光地.新型全方位反射铝镓铟磷薄膜发光二极管[J].物理学报,2007,56(5):2905-2909. 被引量：3
  • 3S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa et al.. High-Brightness InGaN blue, green and yellow Iight-emitting diodes with quantum well structures[J]. Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34: 797-799
  • 4S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa et al.. Superbright green InGaN single-quantum-well strucure light-emitting diodes[J].Jpn. J. Appl. Phys.. 1995, 34:1332-1335
  • 5S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa et al.. Superbright green InGaN single-quantum-well-strucure Iight-emitting diodes[J]. Jpn. J. Appl. Phys., 1995, 34: 1332-13353 S. Nakamura, M. Senoh. High-power GaN p-n junction blue-light-emitting diodes[J]. Jpn. J. Appl .Phys., 1991, 30: 1998-2001
  • 6O. B. Shchekin, J. E. Epler, T. A. Trottier et al.. High performance thin-film flip-chip InGaN-GaN light-emitting diodes[J]. Appl. Phys. Lett., 2006, 89(7): 071109-1-071109-3
  • 7N. A. El-Masry, E. L. Piner, S. X. Liu. Phase separation in InGaN grown by metalorganic chemical vapor deposition[J]. Appl. Phys. Lett., 1998, 72(1): 40-42
  • 8C. Wetzel, T. Salagaj, T. Detchprohm et al.. InGaN/GaN growth optimization for high-power green light-emitting diodes[J]. Appl. Phys. Lett., 2004, 85(6): 866-868
  • 9S. M. Ting, J. C. Ramer, D. I. Florescu et al.. Morphological evolution of InGaN/GaN quantum-well heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition[J]. J. Appl. Phys., 2003, 94(3): 1461-1467
  • 10Cree web site http://www.cree.com/products/ezbright.asp

引证文献1

二级引证文献10

中国科学（E辑）
2006年 第7期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部