弱耦合N吸附子STM系统图谱解释——激子动力学方法研究

<正>扫描隧道显微镜(STM)系统图谱解释目前还有许多不清楚的地方.这一问题几乎受到所有从事STM理论和应用研究学者们的重视.1992年,Kenkre提出了应用激子动力学方法描述STM系统隧道中电子运动的动力学行为新方案.本文在已有工作的基础上,进一步研究了N吸附子弱耦合,即记忆函数取W_(mn)(t)=2 ((sum from ε∈m)× (sum from μ∈m [Q_μ/g_n]))│l<ξ│(?)│μ>│~2cos[(E~ξ-E_μ)×t]exp[(-at)(1)形式的N吸附子STM系统图谱解释具体公式,并计算了Au(110)2X1,3X1再构表面STM图谱.1 一般关系式的导出N吸附子弱耦合STM系统,电子在各态的几率由广义主方程(GME)描述:dP_m(t)/dt=integral from 0 to t (ds) sum from n [W_mn(t-s))P_n(s)-W_(nm)(t-s)×P_m(s)],m,n=S,M1,...,MN,T,(2)其中P_m(t)表示t时刻电子处于m态的几率,W_(mn)(t)为有热库相互作用时的记忆函数.在引进由于外加偏压存在,电子逃逸基底态和探针态的速率R_s和R_T后。