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一种制造快速晶闸管的P型双质掺杂技术
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摘要
阐述了受主杂质在Si中的扩散行为,快速晶闸管制造中的P型区掺杂工艺设计原理、掺杂方法和杂质浓度分布,并给出了该项技术在工艺生产线上应用结果.通过实验和应用表明,该项技术具有先进性和可行性。
作者
刘秀喜
薛成山
孙瑛
王显明
陈刚
赵玉仁
机构地区
山东师范大学半导体所
山东济宁硅元件厂
出处
《山东师范大学学报(自然科学版)》
CAS
1996年第4期35-39,共5页
Journal of Shandong Normal University(Natural Science)
基金
山东省自然科学基金
关键词
晶闸管
扩散行为
P型双质掺杂
掺杂
分类号
TN340.53 [电子电信—物理电子学]
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山东师范大学学报(自然科学版)
1996年 第4期
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