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氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究 被引量:1

Study of Nitrogen-Doped Fullerene Film's Electrical Characterization
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摘要 在氮气气氛中用石墨电弧法合成了氮掺杂富勒烯.质谱、紫外、红外分析等手段证实了样品中含有C59N、C59N2、C59N4、C59N6以及C70N2等分子团簇,对蒸发制备的薄膜进行3小时200℃退火测得其室温电导率为1.0×10-6(S/cm),激活能为0.69eV(常温),0.56eV(高温). Abstract Nitrogen-doped fullerene was synthesized by contact-arc vaporization of graphite in nitrogen atmosphere. Mass, UV-visible absorption, IR spectra and other analysis show that there exists species such as C59N,C59N2, C59N4, C59N6 and C70N2 molecular clusters. After 3 hours annealing sublimation nitrogen-doped fullerene film, we measure its conductivity dependence on temperature, from which we get room-temperature dark conductivity σ(25C ) = 1. 0 × 10-6 (S/cm), active energy Ea = 0. 69eV (low temperature),0. 56eV (high temperature).
机构地区 兰州大学物理系
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期177-179,共3页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
  • 相关文献

参考文献1

  • 1Guo T,J Phys Chem,1991年,95卷,4948页

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献14

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