期刊文献+

在磁场中的Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe晶体生长数值模拟研究 被引量:2

Research on Numerical Simulation for Bridgman-Hg_(1-x)Cd_xTe Crystal Growth in Magnetic Field
下载PDF
导出
摘要 对垂直Bridgman-Hg1-xCdxTe晶体生长系统,用数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场、流场、浓度场及s-l界面产生的影响,介绍了边界条件的处理方法.结果表明,随着磁场强度的增加,熔体中的热对流强度逐渐减弱,s-l界面逐渐向上移动并趋于平坦. Abstract This paper studies the effect of magnetic field parallel with the growth axis to the temperature field,flow field,concentration field as well as s-1 interface in vertical Bridgman-Hg1-xCdxTe crystal growth system using the method of numerical simulation.The processing method of boundary conditions are also described.The results have shown that the heat convective intensity in melt decreases gradually with moresing of magnetic field and the s-1 interface moves upward and tends to flatten.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第7期485-492,共8页 半导体学报(英文版)
关键词 磁场 碲镉汞 晶体生长 数值模拟 Bridgman制取 Computer simulation Magnetic field effects Semiconducting cadmium compounds Semiconducting tellurium compounds
  • 相关文献

参考文献7

二级参考文献15

  • 1Su Chinghua,J Crystal Growth,1991年,109卷,392页
  • 2郭宽良,计算传热学,1988年
  • 3宋炳文,红外技术,1987年,9卷,4期,1页
  • 4Su Chinghua,J Crystal Growth,1986年,78卷,51页
  • 5帕坦卡 S V,传热与流体流动的数值计算,1984年
  • 6Chang C J,J Crystal Growth,1983年,63卷,343页
  • 7埃克特 E R G,传热与传质分析,1983年
  • 8Chang C E,J Crystal Growth,1974年,21卷,135页
  • 9王培林,哈尔滨工业大学学报
  • 10王培林,半导体学报,1994年,15卷,9期,183页

共引文献4

同被引文献8

引证文献2

二级引证文献6

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部