期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
ASML推出新一代浸入式光刻设备XT1900i
下载PDF
职称材料
导出
摘要
ASML Holding NV公司近日推出了用于40nm及以下节点的新型193nm浸入式光刻设备Twinscan XTl900i,新设备将会在2007年中期发货。
出处
《电子工业专用设备》
2006年第9期28-28,共1页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
光刻设备
浸入式
一代
下节点
新设备
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
TF341.604 [冶金工程—冶金机械及自动化]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
ASML发布最新沉浸式光刻设备可用于38nm存储器[J]
.中国集成电路,2008,17(8):7-7.
2
ASML推出新款光刻系统成就两次图形曝光技术[J]
.电子工业专用设备,2007,36(1):48-49.
3
高海峰,刘洋,王刚,刘磊,陈露,刘善超,王喆,赵鸿.
光束在冷却液中传输的波前差研究[J]
.激光与红外,2015,45(11):1331-1334.
4
ASML推出创新光刻平台TWINSCAN NXT套刻精度及生产能力显著提高[J]
.电子工业专用设备,2008,37(10):65-65.
5
童志义.
光学光刻现状及设备市场[J]
.电子工业专用设备,2002,31(1):2-6.
被引量:10
6
Gartner发布2008年设备商排名ASML取代TEL排名第二[J]
.中国集成电路,2009,18(5):6-6.
7
ASML获得台积电投资11亿欧元[J]
.中国集成电路,2012(9):11-11.
被引量:1
8
尚建力.
侧泵Nd:YAG浸入式激光器原理样机研制[J]
.中国工程物理研究院科技年报,2016,0(1):222-225.
9
ASML展示一体化光刻解决方案助摩尔定律延续[J]
.电子工业专用设备,2009(7):76-77.
10
熊述元.
英特尔首款45nm工艺芯片晶体管密度翻倍,功耗降三成[J]
.半导体信息,2006,0(4):31-31.
电子工业专用设备
2006年 第9期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部