富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料

富士通微电子（上海）有限公司日前宣布，东京工业大学、富士通实验室和富士通有限公司已经联合开发出一种用于新一代非易失铁电随机存储器（FeRAM）的新型材料。这种铋、铁、氧元素的合成材料（BiFe03或BFO），能使数据存储容量达到目前FeRAM生产中使用的材料的五倍。