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先进半导体硅材料:优化纳米集成电路性能的重要基础
被引量:
1
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摘要
本文阐述了用于纳米集成电路的大直径硅材料中传热、传质过程,硅中金属杂质元素行为以及点缺陷及其衍生缺陷的产生和运动规律,表面形态与表面质量控制等研究热点;介绍了绝缘体上硅(SOI)、锗硅和应变硅等硅基材料的特性及技术发展趋势;展望了硅及硅基材料未来在纳米电子学和光子学领域的发展前景。
作者
屠海令
机构地区
北京有色金属研究总院
出处
《中国集成电路》
2006年第9期33-39,共7页
China lntegrated Circuit
关键词
半导体硅材料
纳米集成电路
电路性能
表面质量控制
技术发展趋势
硅基材料
绝缘体上硅
纳米电子学
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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中国集成电路
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