双层异质结器件载流子复合位置的研究

Recombination Sites of Carriers in Double Layer Heterojunction Devices

载流子的复合是有机电致发光过程的一个重要环节，它直接影响着器件的效率，稳定性，寿命等性能。以双层器件ITO／N，N＇-Diphenyl-N，N＇-bis（1-naphthyl）-（1，1＇-biphenyl）-4，4＇-diamine（NPB）／tri-（8-hydroxy-quinoline）-aluminum（Alq3）／Mg：Ag为基础，以红光掺杂剂4-（dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran（DCJTB）为探针，通过改变在Alq3层中掺杂层的厚度，研究了双层异质结器件中载流子的复合位置。结果表明，对于双层器件NPB／Alq3，载流子的复合及激子的辐射衰减位于界面处的Alq3层0～10nm范围内。

Recombination of carriers in organic light emitting diodes （OLEDs） is an important factor, which directly influences the device performances such as the efficiency, stability and lifetime, etc. Based on double layer （DL） device ： ITO/N, N＇-Diphenyl=N, N＇-bis （1- naphthyl）-（ 1, 1＇-biphenyl） -4, 4＇-diamine （NPB）/tri （8-hydroxyquinoline） aluminum （ Alq3 ） / Mg ： Ag,recombination sites of carriers in DL heterojunction device have been studied by using red dopant 4-（ dicyanomethylene）-2-t-butyl-6-（ 1, 1, 7, 7-tetramethyljulolidyl-9-enyl）-4H-pyran （DCJTB） as the probe and changing thickness of doping layer in Alq3 host layer. Results showed that,in this DL device, the carrier recombination and exciton diffusion and radiative declining would generate in the range of 0-15 nm from NPB/Alq3 interface.