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热壁LPCVD系统的使用与维护
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摘要
热壁LPCVD制备二氧化硅、氮化硅时系统所产生的SiO_2粉尘、氯化铵粉末以及排出的废气对系统中使用的真空泵将产生有害的影响。本文介绍了热壁LPCVD多晶硅膜时操作步骤、工艺参数的选择和操作中应注意的安全问题等。并讨论了LPCVD法制备氮化硅膜时,所用气体SiHCl_3的优缺点以及LPCVD系统中真空泵的防护措施。
作者
程开富
机构地区
机械电子工业部第四十四研究所
出处
《电子工业专用设备》
1989年第1期14-18,52,共6页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词
热壁
LPCVD系统
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分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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电子工业专用设备
1989年 第1期
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