期刊文献+

一维随机成核生长模型 被引量:9

ONE DIMENSIONAL RANDOM SUCCESSIVE NUCLEATION GROWTH MODEL
原文传递
导出
摘要 建立了一种一维随机成核生长模型,在三种不同的近邻条件下进行模拟,得到了一系列聚集生长图形,并计算了相应的分形维数.所得图形与多孔硅形成图样相似. A computer simulation model of one dimensional random successive nucleation growth is presented. A series of patterns and their fractal dimensions are obtained for three near neighbor conditions. The simulated structures are similar to those of porous silicon. The properties of the D X curve and the critical threshold of the cluster change from fractal to uniform structure are also discussed briefly.
出处 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期1960-1969,共10页 Acta Physica Sinica
关键词 薄膜生长 随机成核 w<
  • 相关文献

参考文献7

  • 1吴自勤,Phys Rev E,1995年,51卷,16页
  • 2金耀辉,物理学报,1995年,44卷,590页
  • 3吴自勤,物理学进展,1994年,14卷,435页
  • 4Yan H,J Appl Phys,1993年,73卷,4324页
  • 5侯建国,物理学报,1990年,39卷,1183页
  • 6Chuang S F,Appl Phys Lett,1989年,55卷,1540页
  • 7侯建国,物理学报,1988年,37卷,1735页

同被引文献47

引证文献9

二级引证文献14

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部