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晶体三极管特性曲线——V_(cE)=OV与V_(cE)>1V的区别

THE CHARACTERISTIC CURVES OF TRANSISTOR TRIODE——THE DIFFERENCES BETWEEN VCE.= 0V AND VCE>1V
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摘要 对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大状态. The authors studies the input characteristic of transistor triode with galvanometer and voltmeter,and proves that undetr Vc_E = 0V the collector occurs electric current bdfore the emitter,and transistor triode is in magnifying state under Vc_E>lV.
出处 《赣南师范学院学报》 1996年第6期86-87,共2页 Journal of Gannan Teachers' College(Social Science(2))
关键词 输入特性 PN结 势垒高度 晶体管 发射极 集电极 transistor trodel input characteristic ,P-N junction electric field intensity
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