VMOS场效应管简介及其应用
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4邱闻.场效应管功放的新突击——DigitalDoMainB-ld功率JFET纯后级[J].无线电与电视,2013(3):31-44.
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8沙振舜.一种新的量子效应──克里岑效应[J].大学物理,1982,0(12):1-2.
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9郭方敏,李宁,熊大元,甄红楼,徐向晏,候颖,丁瑞军,陆卫,黄绮,周均铭.256×1甚长波多量子阱红外焦平面线列研制[J].中国科学(G辑),2008,38(8):1075-1082. 被引量:2
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10段宝兴,李春来,马剑冲,袁嵩,杨银堂.阶梯氧化层新型折叠硅横向双扩散功率器件[J].物理学报,2015,64(6):339-344. 被引量:1
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