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韩国三星电子量产8G Nand闪存

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摘要 三星电子表示已正式开始量产60纳米工艺8G Nand闪存。60纳米工艺是指只有发丝的二千分之一粗的电路线工艺。现在常用的产品中,60纳米8G Nand闪存的电路相对较细,电路越细,成本也相应较低。三星电子方面指出,60纳米工艺与已有的70纳米工艺相比,生产效率可以提高25%,可以继续在成本竞争中确保优势。
出处 《电子测试(新电子)》 2006年第9期101-101,共1页 Micro-Electronics
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