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英特尔与美光试制50纳米NAND闪存
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摘要
美光科技公司(Micron Technology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nm)制程技术的NAND闪存,这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过IM闪存技术公司(IM Flash Technologies)制造,该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4Gb设备,计划2007年开始大规模生产多种容量密度的50纳米产品。
出处
《电子测试(新电子)》
2006年第9期114-114,共1页
Micro-Electronics
关键词
NAND闪存
英特尔公司
试制成功
纳米产品
美光科技公司
制造企业
FLASH
大规模生产
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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电子测试(新电子)
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