期刊文献+

英特尔与美光试制50纳米NAND闪存

下载PDF
导出
摘要 美光科技公司(Micron Technology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nm)制程技术的NAND闪存,这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通过IM闪存技术公司(IM Flash Technologies)制造,该公司为美光科技公司与英特尔公司合资创办的研发制造企业。两家公司目前正在试制4Gb设备,计划2007年开始大规模生产多种容量密度的50纳米产品。
出处 《电子测试(新电子)》 2006年第9期114-114,共1页 Micro-Electronics
  • 引文网络
  • 相关文献
;
使用帮助 返回顶部