22纳米节点的光刻方案之争

近年来193nm浸没式光刻炙手可热，不但成了65／45nm节点主流技术，而且在32nm的争夺中也毫不落下风，可能会延伸至22nm，人们甚至一度讨论起193nm会否就是“最后的波长”。通常认为，在22nm节点时不但需要折射率高于1．6的浸入液，还需采用所有已知的分辨率增强技术，包括最昂贵的Pitch．Splitting方法。所谓Pitch-Splitting是将半间距为22nm的掩膜图形仔细地分拆成两套32nm的掩膜，然后采用32nm制程进行双重曝光。由此可见，22nm节点应该就是可扩展的极限，届时193nm浸没式已成强弩之末，需要解决很多技术难题，比如，怎样将图形友好地分离，这需要进行分离算法和软件的研发；如何实现两次曝光问的精确对准并抑制交叉曝光所引起的临近效应？同时由于双重曝光会导致产率（throughput）骤降40％，193nm浸没式在成本方面的优势也将不复存在，这就为其他的光刻技术打开了竞争之门。