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反激式电源设计中MOSFET的选择与功耗验证 被引量:3

MOSFET Power Consumption Validation in Switching Converter Design
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摘要 讨论了反激电源设计的另外一个方面,即MOSFET场效应管的选择和功耗验证,提出了相应的计算公式与验证流程。该思想也可用于其它电路设计中的MOSFET检验。 Based on completion of the design of switching converter main circuit,this paper mainly discusses about MOSFET choosing and introduces power dissipation validation of MOSFET,including four aspects of power dissipation in heat management i.e.conduction losses,switching losses,gate charge losses and off-state leakage current losses.The paper supplies formula (5), (10), (12), (14) for calculating those losses and introduces a process for consumption validation of MOSFET.The process also can be used in other electronic design.
出处 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2006年第5期107-109,共3页 Power Electronics
关键词 电源 功耗/反激式 金属氧化物场效应晶体管 power supply power dissipation / flyback MOSFET
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Michele Sclocchi. Switching Power Supply Design-discontinuous Mode Flyback Converter.National Semiconductor Ltd [EB/OL].http://webench.national.com/appinfo/power/files/LM5030_Push-Pull-12V-60W-2001i-new-4.pdf#page=1.
  • 2杨旭,裴云庆,王兆安.开关电源技术[M].北京:机械工业出版社,1996.
  • 3李华嵩,俞卞章,秦祖荫.最大占空比反激式电源主电路及变压器的设计[J].电力电子技术,2006,40(5):104-106. 被引量:7

二级参考文献2

  • 1Michele Sclocchi. Switching Power Supply Design-Discontinuous Mode Flyback Converter [EB/OL].National Semiconductor Ltd. http://webench.national.com/appinfo/power/files/LMS030_Push-Pull-12V-60W-2001i-new-4.pdf#page=1.
  • 2杨旭,裴云庆,王兆安.开关电源技术[M].北京:机械工业出版社,1996.

共引文献9

同被引文献13

引证文献3

二级引证文献10

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