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激光刻蚀实现硅的近红外响应
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摘要
美国科学家利用能提高硅电.池效率的微结构方法,拓宽硅光电探测器的光谱响应范围。这种微结构硅光电探测器的响应波长在1.31~1.55gm,可以用于许多特殊的图像领域。(Appl.Phys.Lett.89033506)
作者
婷婷(编译)
出处
《激光与光电子学进展》
CSCD
北大核心
2006年第10期15-16,共2页
Laser & Optoelectronics Progress
关键词
激光刻蚀
高硅
近红外
硅光电探测器
美国科学家
结构方法
光谱响应
微结构
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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激光与光电子学进展
2006年 第10期
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