高密度硬磁盘用Ba铁氧体薄膜

本研究应用对向靶溅射装置（FTS）制备Ba铁氧体薄膜，并对该膜进行热处理，研究了成膜时的基板温度对热处理后的结晶构造及磁特性的影响。研究结果得知，通过热处理薄膜得以晶化，而且结晶构造是随成膜时的基板温度而变化的。在室温下制成的薄膜，其矫顽力大体与500℃下成膜的矫顽力相等，约为239kA／m（3kOe）。另外，基板温度300℃时制成的薄膜，其矫顽力在119kA／m（1．5kOe）以下。成膜时的基板温度影响热处理后的结晶构造及磁特性。