摘要
在硅深-亚微米沟道反应离子刻蚀(RIE)中,发现氯化气体比氯化气体显然有较大的微-负载效应。为了解作气体效应,利用Cl2和SF6进行了模型实验。对腐蚀深度与图形宽度的关系进行了计算,计算时既考虑了腐蚀剂(离子、自由基)的屏蔽效应,也考虑了其表面迁移。根据这些结果,弄清了引起微-负载效应的原因如下:①沟道底部的腐蚀剂的浓度随沟道深度的增加/或沟道宽度的减小而减少;②随着腐蚀剂浓度的改变,氟化气体中刻蚀速率的变化比氯化气体中的大。并且指出,采用较重的卤素作为腐蚀气体,可提供一种去除微-负载效应的方法,因为离子辅助腐蚀在较重的卤素的刻蚀中是占优势的。
Abstract
出处
《半导体情报》
1996年第6期34-41,共8页
Semiconductor Information