期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展

Progress in the Development of Microwave Power AlGaN/GaN's HEMT
下载PDF
导出
摘要 文章论述了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在微波功率领域应用的优势,详细介绍了微波功率AlGaN/GaNHEMT的工艺进展以及器件的直流和频率特性,评述了其最新进展及今后发展方向。 Advantages of AlGaN/GaN high electron mobility transistor（HEMT） in the application of microwave power field are reviewed. The process of microwave power AlGaN/GaN HEMT and the effects of material and structure on the device performance are described in detail. Latest progress in this field is presented.
作者 马香柏 郝跃 张进城
机构地区 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
出处 《电子科技》 2006年第10期1-4,共4页 Electronic Science and Technology
基金 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2002CB3119) 国防科技重点实验室基金项目(51433040105DZ0102) 国防973计划项目(513270407) 国防科技重点实验室基金项目(51432030204DZ0101)资助研究。
关键词 ALGAN/GAN 微波 功率 AlGaN/GaN HEMT microwave power
分类号 TN12 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献21

  • 1[1]Eastman L F,Tilak V,Green B,et al.Undoped AlGaN/GaN HEMTs for microwave power amplifier.IEEE Trans Electron Devices,2001,48(3):479
  • 2[2]Tilak V,Green B,Kaper V,et al.Influence of barrier thickness on the high power performance of AlGaN/GaN HEMTs.IEEE Electron Device Lett,2001,22(11):504
  • 3[3]Wu Y F,Kapolnek D,Ibbetson J P,et al.Very-high power density AlGaN/GaN HEMTs.IEEE Trans Electron Devices,2001,48(3):586
  • 4[4]Wu Y F,Chavarkar P M,More M,et al.A 50W AlGaN/GaN HEMT amplifier.Proc IEEE Int Electron Devices Meeting,2000:375
  • 5[5]Fan Z,Mohammand S N,Kim W,et al.Very-low resistance Ohmic contact to n-GaN.Appl Phys Lett,1996,68(12):1672
  • 6[6]Leier H,Wieszt A,Behtash R,et al.RF power performance of passivated AlGaN/GaN HFETs grown on SiC and sapphire.The 9th European GaAs and Other Semiconductor Application Symposium,2001:49
  • 7[7]Vetury R,Zhang N Q,Keller S,et al.The impact of surface states on the DC and RF characteristics of AlGaN/GaN HEMT.2002 IEEE MTT-S Digest,2002:1815
  • 8[8]Kikkawa T,Nagahara M,Kimura T,et al.A 36W CW AlGaN/GaN HEMT using surface-charge-controlled structure.IEEE Trans Electron Devices,2001,48(3):560
  • 9Dang X Z, Yu E T, Piner E J, et al. Influence of surface processing and passivation on carrier concentrations and transport properties in AlGaN/GaN heterostructures. J Appl Phys, 2001,90:1357.
  • 10Gree B M,Chu K K,Martin Chumbes E,et al. The effect of surface passivation on the microwave characteristics of undoped AlGaN/GaN HEMT's. IEEE Electron Device Lett,2000,21(6) :268.

共引文献27

电子科技
2006年 第10期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部