期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
SiC功率器件
被引量：
2
下载PDF
职称材料
导出
摘要
本文采用计算材料优值和器件模拟的方法预测了ＳｉＣ（碳化硅）的高频大功率特性，综述了目前ＳｉＣ功率器件的发展最高水平，高压整流器和晶体管如功率ＭＯＳＦＥＴｓ，ＪＦＥＴｓ和ＭＥＳＦＥＴｓ都具有较小的有源面积。
作者
张玉明
张义门
罗晋生
机构地区
西安电子科技大学
西安交通大学
出处
《电子科技导报》
1996年第11期24-29,共6页
关键词
碳化硅
功率器件
场效应功率器件
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
3
参考文献
1
共引文献
13
同被引文献
6
引证文献
2
二级引证文献
3
参考文献
1
1
陈星弼.
MOS型功率器件[J]
.电子学报,1990,18(5):97-105.
被引量：14
二级参考文献
3
1
陈星弼，功率MOS器件与高压/功率集成电路，1990年
2
王正元，1988年
3
陈星弼，晶体管原理，1981年
共引文献
13
1
杨东林,孙伟锋,刘侠.
700V VDMOS设计[J]
.电子器件,2007,30(2):419-422.
被引量：2
2
弓小武,樊昌信,刘玉书.
一种新型 MOS 控制功率器件[J]
.电力电子技术,1997,31(2):88-90.
被引量：2
3
曾云,颜永红,陈迪平,曾健平,冯辉煜.
双极型压控晶体管模型及原理[J]
.微细加工技术,1997(3):63-65.
被引量：4
4
蒋华平,方健,乔明.
高压互连线的Galerkin边界元法[J]
.微电子学,2008,38(5):663-665.
5
曾云,颜永红,陈迪平,曾健平,张衡.
双注入结型场效应管的电流-电压特性[J]
.半导体情报,1998,35(2):41-44.
6
杨法明,杨发顺,张锗源,李绪诚,张荣芬,邓朝勇.
功率VDMOS器件的研究与发展[J]
.微纳电子技术,2011,48(10):623-629.
被引量：9
7
周宝霞,陈治明.
具有双n^+发射区的MCT[J]
.西安理工大学学报,1999,15(4):39-41.
8
刘文辉.
一种提高单位面积电流密度的VDMOS器件结构[J]
.黑龙江科技信息,2016(22):204-204.
9
范晓波.
绝缘栅双极晶体管的仿真设计方法[J]
.中小企业管理与科技,2019,0(29):186-186.
10
王新,梁春广,韩直.
双极模式静电感应晶体管及其复合管的原理[J]
.半导体情报,1992,29(3):1-13.
同被引文献
6
1
张玉明,罗晋生,张义门.
n型6H-SiC体材料欧姆接触的制备[J]
.Journal of Semiconductors,1997,18(9):718-720.
被引量：12
2
李宁生,鲍希茂,廖良生,吴晓华,高义华,张泽.
硅基纳米SiC的制备及其微结构分析[J]
.Journal of Semiconductors,1997,18(10):731-733.
被引量：7
3
王辉耀,王印月,宋青,王天民.
氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响[J]
.Journal of Semiconductors,1998,19(8):569-573.
被引量：9
4
张玉明,张义门,罗晋生.
SiC肖特基势垒二极管的研制[J]
.Journal of Semiconductors,1999,20(11):1040-1043.
被引量：15
5
张玉明,张义门,罗晋生.
6H-SiC MOS场效应晶体管的研制[J]
.固体电子学研究与进展,2000,20(1):1-6.
被引量：2
6
余明斌,马剑平,罗家骏,陈治明.
在硅衬底上用HFCVD法生长的纳米SiC薄膜及其室温光致发光[J]
.Journal of Semiconductors,2000,21(7):673-676.
被引量：13
引证文献
2
1
张玉明,张义门,罗晋生.
6H-SiC JFET高温解析模型[J]
.电子学报,1998,26(8):117-119.
被引量：2
2
张玉明,张义门,P.Alexandrov,J.H.Zhao.
Fabrication of 4H-SiC Merged PN-Schottky Diodes[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(3):265-270.
被引量：1
二级引证文献
3
1
尚也淳,张义门,张玉明.
6H-SiC JFET的高温特性[J]
.电子与信息学报,2001,23(2):203-207.
2
彭朝阳,白云,申华军,吴煜东,高云斌,刘新宇.
3300V高压4H-SiC结势垒肖特基二极管器件的研制[J]
.大功率变流技术,2016(5):46-50.
被引量：2
3
周郁明,刘航志,杨婷婷,陈兆权.
SiC JFET与SiC MOSFET失效模型及其短路特性对比[J]
.电子学报,2019,47(3):726-733.
被引量：2
1
意法半导体(ST)新功率MOSFET实现近乎完美的开关性能[J]
.电子设计工程,2015,23(19):185-185.
2
刘玉云,马惠.
微波功率模块高压电源的设计[J]
.现代雷达,2011,33(4):80-82.
被引量：5
3
樊锡宝.
硅高压整流器的过压和过流保护[J]
.广播电视通信技术,1994(1):47-51.
4
苏世民.
SiC异质结双极晶体管的高频性能[J]
.半导体情报,1995,32(5):33-39.
5
江兴.
IR推出双PQFN2×2和双PQFN3.3×3.3功率MOSFETs[J]
.半导体信息,2011,0(4):7-8.
6
微波集成电路、毫米波集成电路[J]
.电子科技文摘,1999(12):38-40.
7
吴巨,何宏家,范缇文,王占国,张绵.
半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响[J]
.Journal of Semiconductors,1997,18(7):558-560.
被引量：7
8
夏世伟,施健.
Au—Cr—Al／n—CaAs肖特基接触的正向脉冲退化现象[J]
.上海半导体,1994(2):8-10.
9
Diodes车用级高压整流器[J]
.电子质量,2016,0(1):52-52.
10
郑畅.
ST推出新功率MOSFET,实现近乎完美的开关性能[J]
.半导体信息,2015(5):10-11.
电子科技导报
1996年 第11期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
