海力士66nm DRAM研发几近完成进度超越三星

据韩国媒体Korea Times报道，存储器大厂海力士（Hynix）在66nm工艺技术的DRAM研发进度已近于完成阶段，进度超过其对手全球最大存储器厂三星电子（Samsung Electronics），目前2家公司都有采用80nm工艺技术研制DRAM，而三星电子积极开发70nm工艺技术，海力士则是转往与65nm接近的66nm工艺技术开发。