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高温MOS器件综述
被引量：
2
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摘要
本文全面介绍了高温ＭＯＳ器件物理基础、宽温区（２７～３００℃）ＭＯＳＦＥＴ和集成电路高温特性的测试结果和理论分析、高温ＭＯＳ器件设计的特殊考虑和优化设计、高温ＭＯＳ器件模拟技术及模拟和验证。
作者
冯耀兰
机构地区
东南大学
出处
《电子科技导报》
1996年第9期13-16,33,共5页
基金
国家自然科学基金
关键词
高温
MOS器件
泄漏电流
微电子器件
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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电子科技导报
1996年 第9期
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