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离子注入中污染的产生及防护 被引量:2

GENERATION OF AND PROTECTION FROM CONTAMINATION IN ION IMPLANTATION
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摘要 本文概述了离子注入过程中污染产生的原因和防止污染的措施,特别强调了对微粒污染和金属污染的防护以满足ULSI加工对离子注入的要求。 The reasons of generating contamination and the measures of protection from contamination in ion implantation are summarized. The protection from metal and particle contamination is emphasized to meet the requirement of ULSI manufacture.
作者 陈林
机构地区 电子工业部第
出处 《微细加工技术》 1996年第3期20-24,共5页 Microfabrication Technology
关键词 金属污染 微粒污染 离子注入 半导体器件 ion implanter metal contamination particle contamination.
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