65nm技术开发的FeRAM材料存储能力高达256Mb
出处
《今日电子》
2006年第10期37-37,共1页
Electronic Products
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1富士通和东京工业大学宣布采用65nm技术开发256Mbit FeRAM新材料[J].电子与电脑,2006(9):131-131.
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2富士通联合开发出FeRAM新材料[J].世界电子元器件,2006(9):14-14.
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3富士通半导体推出基于0.18μm技术的全新SPI FRAM[J].电子与电脑,2011(8):87-87.
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4富士通面向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料[J].家电科技,2008(13):51-51.
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5向新一代FeRAM开发出可擦写1000亿次的存储材料[J].现代材料动态,2008(6):28-28.
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6姚远.闪存接班人的竞争 NVRAM,谁是新一代霸主?[J].新电脑,2007,31(8):88-93.
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7金萧.富士通和爱普生将联合开发下一代FRAM非易失性存储器技术[J].电子与封装,2005,5(8):48-48.
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8东芝开发出大容量非易失铁电存储器[J].中国集成电路,2009,18(3):5-5.
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9富士通和东京工业大学开发256Mbit FeRAM新材料[J].中国集成电路,2006,15(9):4-4.
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10基于0．18μm技术的SPIFRAM[J].今日电子,2011(9):64-64.
