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低压金属有机化学气相外延生长室热流场的模拟与分析 被引量:3

Numerical Simulation and Analysis of Flow Field in Low Pressure Metalorganic Chemical Vapour Deposition Reactor
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摘要 本文运用了有限体积方法模拟了低压有机金属化学气相外延生长室的二维流场和热场的分布情况,分析了生长室内压力和基座转速对于流场和热场影响,指出了低压金属有机化学气相外延的优点所在。 The 2D simulations of flow, temperature in low pressure metalorganic chemical vapour deposition (LP-MOCVD) were described by finite volume method. The effects from the operating pressure and rotational speed of substrate are analyzed, and the merits of LP-MOCVD are pointed out.
出处 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期662-665,共4页 Journal of Materials Science and Engineering
基金 科技部973资助项目(2003CB314901)
关键词 有机金属化学气相外延 SIMPLE算法 旋转垂直腔 LP-MOCVD finite volume method rotational and vertical cavity
  • 相关文献

参考文献5

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  • 5H.Schlichting.Boundary Layer Theory[M].McGraw-Hill,New York:1972.

同被引文献19

引证文献3

二级引证文献3

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