双微分全控器件门驱动电路的设计与研究

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摘要新型的电力电子器件MOSFET和IGBT克服了传统的电力电子器件如SCR只能开通不能关断的缺陷.但关断速度依然限制开关速度的提高.本文给出了一个用于驱动全控开关器件的门驱动电路.整个电路系统主要由双微分驱动电路、DC-DC电源变换电路、光耦合隔离电路等三部分组成.它只使用一个12V直流电源能得到稳定可靠的双微分驱动效果,能明显地加速开关器件关断过程中门极存储电荷的释放,有利于提高全控器件的开关速度、减少开关损耗.

作者吴浚浩

机构地区韩山师院物理与电子工程系

出处《宜春学院学报》 2006年第4期32-35,共4页 Journal of Yichun University

关键词双微分门极驱动开关速度 DC—DC电源变换器

分类号 TM13 [电气工程—电工理论与新技术]

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