可控硅通态饱和压降测量方法的论证

本文叙述了合理选择RLC回路的参数,能够产生测试所需要的半波正弦脉冲电流,并分析了回路参数RLC对振荡状态的影响。着重介绍了借助微机实现可控硅正向通态饱和压降的测量原理、方框图和方法。