P型GaAs量子阱结构中的内禀自旋霍耳效应

香港大学戴希和张富春与中科院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室（筹）方忠和姚裕贵合作，计算了空穴型掺杂半导体（P型GaAs）量子阱的自旋霍耳系数。他们发现当掺杂浓度和自旋轨道耦合常数满足某种特定关系时，体系的自旋霍耳系数会突然改变符号。这种随着空穴浓度或自旋轨道耦合系数的改变而突然变号的性质，是内禀自旋霍耳效应所特有的奇异性质。