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离子注入装备发展趋势 被引量:3

The Current Development of Ion Implantation Equipment
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摘要 简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案。 The paper depicted briefly the development, situation of the current IC fabrication process, and introduced the challenge and resolution of the ion implantation process relatively various technologic node.
出处 《电子工业专用设备》 2006年第11期5-8,74,共5页 Equipment for Electronic Products Manufacturing
关键词 离子注入 等效掺杂 大角度注入 低能大束流 Keywords : Ion Implantation Large tilt implantation Low energy_high current
  • 相关文献

参考文献2

  • 1唐景庭.适应现代集成电路制造的离子注入技术与装备[C].第十三届全国三束学术年会,2005年.
  • 2John0.Borland等.等效离子掺杂[J].半导体国际(中文版),2005,1(2):39-41.

共引文献3

同被引文献7

引证文献3

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