用红外光学诊断技术监控工艺流程

在一般的半导体蚀刻和薄膜淀积工艺流程中，晶片参数是在晶片加工完之后测量的。如果测得的参数不在所希望的容限范围内，则需要对工艺参数进行调整，同时还需要对更多的晶片进行测量，以验证测量值是否正确。这种后加工分析方法费时、效率低，而且随着晶片尺寸的增加，其成本也会变得越来越高。