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多孔硅的形成和发光

Formation and Photoluminescence of Porous Silicon
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摘要 概述了多孔硅的制备方法,同时提出了对双槽法的改进方法。阐述了多孔硅的形成机理和发光机理的各种模型,同时对多孔硅的研究前景作了展望。 This paper reviews preparation of porous silicon and proposes the modification of double cell. It also elaborates the different models of porous silicon formation mechanism and luminescence mechanism. Mean while, the future development of is will be expected.
出处 《皖西学院学报》 2006年第5期38-41,共4页 Journal of West Anhui University
关键词 多孔硅 制备方法 形成机理 发光机理 porous silicon preparation formation mechanism luminescence mechanism
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参考文献7

  • 1Canham L T.Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers[J].Applied Physics Letter,1990,57 (10):1046-1048.
  • 2Qin G G,Jia Y Q.Mechanism of the visible luminescence in porous silicon[J].Solid State Commun,1993,86:559.
  • 3Li XJ,Zhu-DL,Chen-QW,Zhang Yuheng.Strong-and nondegrading-luminescent porous silicon prepared by hydrothermal etching[J].Appl.Phys.Lett.74(1999)389.
  • 4刘小兵,史向华.氢与氧及氮钝化对多孔硅光致发光的影响[J].半导体光电,2001,22(6):448-450. 被引量:1
  • 5陈华杰,张甫龙,范洪雷,阵溪滢,黄大鸣,俞鸣人,侯晓远,李谷波.低温湿氧氧化提高多孔硅发光的稳定性[J].物理学报,1996,45(2):297-303. 被引量:6
  • 6M.Schoisswohl,M.Rosenbauer,J.L.Cantin,et al.Photoluminescence and Raman study of porous SiGe[J].J.Appl.Phys.Vol.79.No.12,15 June 1996:9301~9304.
  • 7B.Unal,S.C.Bayliss,P.Phillips et al.Intense visible photoluminescence from molecular beam epitaxy porous Sil-xGex grow on si[J].Thin Solid Films.305(1997)274-279.

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