制造平面高压晶体管的新技术
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1990年第2期41-45,共5页
Power Electronics
-
1650V CoolMOS CFD2：MOSFET[J].世界电子元器件,2011(7):31-31.
-
2高压晶体管协助开发更可靠的高能效电源[J].今日电子,2009(7):65-66.
-
3蒋正勇,计建新,沈保根,石中兵,赵万里.高频、高压晶体管设计与制造工艺研究[J].微电子技术,2001,29(4):16-18.
-
4适用于功率放大器的CMOS逻辑高压晶体管[J].今日电子,2009(2):111-112.
-
5Christina Nickolas.混合信号技术造就了体积更小的电源IC[J].今日电子,2005(7):29-29.
-
6王界平,王清平,龙弟光.高性能纵向pnp晶体管的研制[J].微电子学,1993,23(1):6-10. 被引量：2
-
7王军,杨晓智.用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管[J].半导体情报,2001,38(2):40-42. 被引量：2
-
8放大器的CMOS逻辑高压晶体管[J].中国集成电路,2009,18(2):2-3.
-
9Actel推出Fusion融合技术[J].今日电子,2005(8):62-62.
-
10模拟/电源[J].电子产品世界,2009,16(2):85-86.
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