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三星电子宣布第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器问世
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摘要
据韩联社报道,三星电子宣布开发出了世界第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器(DRAM)半导体。
出处
《电子商务》
2006年第11期87-87,共1页
E-Business Journal
关键词
动态随机存取存储器
三星电子
纳米
半导体
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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2006年 第11期
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