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三星电子宣布第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器问世

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摘要据韩联社报道，三星电子宣布开发出了世界第一个50纳米1Gb动态随机存取存储器（DRAM）半导体。

出处《电子商务》 2006年第11期87-87,共1页 E-Business Journal

关键词动态随机存取存储器三星电子纳米半导体

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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